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場效應MOS管FQPF4N20L參數

PD最大耗散功率:27WID最大漏源電流:3AV(BR)DSS漏源擊穿電壓:200VRDS(ON)Ω內阻:1.35ΩVRDS(ON)ld通態電流:1.5AVRDS(ON)柵極電壓:10VVGS(th)V開啟電壓:1~2VVGS(th)ld(μA)開啟電流:250μA

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