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場效應MOS管SUP57N20-33參數

PD最大耗散功率:300WID最大漏源電流:57AV(BR)DSS漏源擊穿電壓:200VRDS(ON)Ω內阻:0.033ΩVRDS(ON)ld通態電流:30AVRDS(ON)柵極電壓:10VVGS(th)V開啟電壓:2~4VVGS(th)ld(μA)開啟電流:250μA

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